中子辐射跟MOS晶体管失效有什么关系

提问：中子辐射跟MOS晶体管失效有什么关系

网友回答：

1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。